光刻胶膜厚测试仪重点采用光学干涉原理和磁感应测绘原理进行厚度测绘。
首要,光学干涉原理是光刻胶膜厚测试仪的核心测绘方式之一。当特定波长的光波垂直或倾斜照射到光刻胶表面时,部分光波被反射,部分透射进入光刻胶内部。在光刻胶的上下表面之间,光波会出现多次反射和透射,形成干涉现象。这种干涉现象引起反射光波的相位出现变化,其相位差与光刻胶的厚度和折射率相关。膜厚测试仪经过精确测绘反射光波的相位差,并利用特定的算法进行处理,从而能够准确地计算出光刻胶的膜厚值。
另外,磁感应测绘原理亦是光刻胶膜厚测试仪的另一种重要测绘方式。这种原理基于磁通量的变化来测定光刻胶膜的厚度。在实质测绘中,测头靠近被测物体表面,产生一个磁场。当测头接触到光刻胶膜时,磁场的一部分会穿过非铁磁性的光刻胶膜,进入下方的铁磁基体。因为光刻胶膜的厚度区别,磁通量的体积会有所变化。经过精确测绘磁通量的体积,能够推算出光刻胶膜的厚度。
这两种测绘原理各有特点,光学干涉原理拥有较高的测绘精度,适用于对膜厚精度需求较高的场景;而磁感应测绘原理则拥有较快的测绘速度,适用于生产线上的快速检测。在实质应用中,能够按照详细的需要和场景选取适合的测绘原理的光刻胶膜厚测试仪。返回外链论坛:www.fok120.com,查看更加多
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